IGBT中頻爐電源控制部分的原理及優(yōu)點(diǎn)：
（1）IGBT中頻系統(tǒng)電源是一種中頻信號(hào)感應(yīng)加熱爐，可采用串聯(lián)諧振式。它的逆變器是一種新型的IGBT模塊（絕緣柵雙極晶體管，由德國(guó)企業(yè)生產(chǎn)）。主要包括冶煉工藝用普通碳鋼、合金鋼、鑄鋼和有色金屬。具有熔速快、節(jié)能、高次諧波污染等優(yōu)點(diǎn)。

（2）IGBT中頻電源作為恒功率輸出，加入少量材料實(shí)現(xiàn)全功率輸出，并保持恒定，從而達(dá)到更快的熔速；由于串聯(lián)諧振逆變部分和高壓變頻器，所有的IGBT頻率能量都比傳統(tǒng)的晶閘管中頻高；如果采用調(diào)頻調(diào)制IGBT功率，則整流部分為全橋整流、電感和電容濾波器，一直工作在500V，因此IGBT頻率的高次諧波小，對(duì)電站的污染小。

（3） 節(jié)能型IGBT晶體管中頻系統(tǒng)電源比傳統(tǒng)的晶閘管中頻信號(hào)電源節(jié)能15%-25%，節(jié)能的主要原因有：A.高壓變頻器、低電流和線損。該部分可實(shí)現(xiàn)約15%的節(jié)能IGBT晶體管逆變器，頻率電源電壓2800v，當(dāng)傳統(tǒng)晶閘管頻率電源逆變器電壓僅為750V時(shí)，電流減小近4倍，線損大大降低。

?功率因數(shù)不大于0.98，無功損耗小。該部分比晶閘管中頻系統(tǒng)的電源管理節(jié)能3%-5%。由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用半可控整流方式，整流部分不調(diào)節(jié)晶閘管導(dǎo)通角，因此整個(gè)工作過程的功率因數(shù)始終大于0.98，而且無功功率損耗小

小件爐的熱損耗，由于IGBT晶體管的能量高頻功率可控硅頻率可以比同一電源快速烘爐15分鐘左右，15分鐘的開爐時(shí)間可能會(huì)損失整個(gè)過程的3%，所以這可能小于可控硅頻率能量的3%。

（4） 高次諧波干擾：高次諧波問題主要包括整流部分調(diào)壓時(shí)晶閘管產(chǎn)生的毛刺電壓，嚴(yán)重污染電網(wǎng)，導(dǎo)致企業(yè)其他相關(guān)設(shè)備管理無法滿足正常開發(fā)工作，而采用半控整流技術(shù)的節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源的整體電流部分，其直流輸出電壓從不在最高水平工作，也不調(diào)節(jié)開關(guān)角度，因此不會(huì)產(chǎn)生高次諧波，污染電網(wǎng)、變壓器、開關(guān)，也不會(huì)發(fā)熱不妨礙工廠內(nèi)其他國(guó)家電子信息設(shè)備的安全運(yùn)行。

（5） 恒功率輸出：可控硅變頻穩(wěn)壓電源和IGBT晶體管中頻調(diào)頻電源，以及對(duì)爐襯厚度有多大的影響在節(jié)能過程中，特別是在不銹鋼、銅的生產(chǎn)中，它不是一個(gè)充電電源來保持整個(gè)冶煉恒功率輸出，鋁或類似材料，非磁性材料，也顯示出其優(yōu)越性，熔化速度快，充電元件燃燒少，降低鑄造成本。